นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยฟู่ตั้นในเซี่ยงไฮ้ ได้พัฒนาหน่วยความจำแฟลชหรือ Flash Memory ชนิดใหม่ที่ทำจากกราฟีน ซึ่งเป็นวัสดุพิเศษที่นำไฟฟ้าได้ดีเยี่ยม หน่วยความจำตัวใหม่นี้มีชื่อว่า PoX ซึ่งได้สร้างสถิติโลกใหม่ด้วยความเร็วในการเขียนข้อมูลที่เร็วมาก ๆ
PoX สามารถเขียนหรือบันทึกข้อมูลได้ในเวลาเพียง 400 พิโควินาที (พิโควินาที คือ หนึ่งส่วนล้านล้านของวินาที เร็วมากๆ) ทำให้มันทำงานได้ถึง 25 พันล้านครั้งในหนึ่งวินาที
หากเทียบกับของเดิม ความเร็วระดับนี้เร็วกว่าเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบเดียวกนที่เป็นสถิติโลกเดิมถึง 100,000 เท่า ซึ่งหัวหน้าทีมวิจัยเปรียบเทียบให้เห็นภาพว่าเหมือนกับ PoX ทำงานได้ 1 พันล้านครั้งในชั่วพริบตาเดียว ขณะที่ USB แฟลชไดรฟ์ทั่วไปทำงานได้แค่ 1,000 ครั้ง
ปัจจุบันเรามีหน่วยความจำที่ใช้งานกันอยู่ 2 แบบหลักๆ คือ
1.แรม มีความเร็วมาก แต่พอปิดเครื่อง ข้อมูลก็หายหมด
2.แฟลช เช่นใน USB drive, SSD เก็บข้อมูลได้แม้ปิดเครื่อง และกินไฟน้อย แต่ทำงานช้ากว่าแรมมาก
PoX แก้ปัญหานี้ด้วยการใช้กราฟีนและเทคนิคที่เรียกว่า Super-injection ทำให้ PoX สามารถอัดประจุไฟฟ้าเพื่อเก็บข้อมูลได้เร็วมากๆ แบบแทบไม่มีอะไรขวางกั้น ทลายข้อจำกัดด้านความเร็วของหน่วยความจำแบบแฟลชที่มีมานาน
สิ่งนี้จะมีประโยชน์มหาศาล โดยเฉพาะงานกับ AI ที่ต้องประมวลผลข้อมูลจำนวนมหาศาล โมเดล AI สมัยใหม่ต้องการหน่วยความจำที่เร็วพอๆ กับ CPU เพื่อให้ทำงานได้เต็มประสิทธิภาพ ซึ่ง PoX อาจช่วยให้ AI ประมวลผลข้อมูลใหญ่ๆ ได้แบบเรียลไทม์ และยังช่วยลดการใช้พลังงานมหาศาลที่เกิดจากการย้ายข้อมูลไปมา ซึ่งเป็นปัญหาใหญ่ของฮาร์ดแวร์ AI ในปัจจุบัน ซึ่งตอนนี้ก็ต้องรอดูว่า จะเอามาใช้งานในเชิงพาณิชย์ได้เมื่อไหร่
ที่มา
){kind=link}