[แนวคิดใหม่] เพื่อตอบรับมาของ AI ทางด้าน SK hynix ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำแฟลชจากเกาหลีใต้ เตรียมพัฒนาหน่วยความจำใหม่ ที่มาพร้อมการผสานระหว่างชิป DRAM และ NAND ไว้ในแพ็กเกจเดียว เผยจะช่วยให้มีประสิทธิภาพ AI ที่รวดเร็วยิ่งขึ้น
ปัจจุบัน SK hynix มีแผนพัฒนาเทคโนโลยี HBF (High-Bandwidth Flash) ร่วมกับทาง SanDisk ที่สร้าง SSD สำหรับงาน AI ที่มีความเร็วกว่า SSD ทั่วไปหลายเท่า แต่ดูเหมือนทาง SK hynix จะไปได้มากกว่านี้ ล่าสุดได้เปิดตัวเทคโนโลยีใหม่อย่าง “HBS” หรือ “High-Bandwidth Storage” หน่วยความจำที่ผสานรวมทั้ง DRAM และ NAND ช่วยเพิ่มพลังประมวลผล AI ในชิป SoC ของสมาร์ทโฟน แท็บเล็ต และอุปกรณ์พกพาอื่น ๆ โดยเฉพาะ
โดยทางเทคนิคนั้น ก็มีการใช้ Vertical Wire Fan-out (VFO) ซ้อน DRAM และ NAND ได้สูงสุด 16 ชั้น ที่ผสานตัว DRAM Wide I/O พลังงานต่ำเข้ากับ NAND นี้เอง เผยจะช่วยเพิ่มความเร็วในการประมวลผลข้อมูลได้อย่างมาก ทั้งยังลดการใช้พลังงานได้มากขึ้น และยังลดต้นทุนการผลิตได้อีก
เรียกได้ว่าทาง SK hynix มีแผนพัฒนา HBS เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเวิร์กโหลด AI บนอุปกรณ์พกพา ในขณะที่ HBF ก็จะเป็นฝั่งอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูงแทน ท้ายนี้ตัว HBS มีกำหนดการเปิดตัวอย่างเป็นทางการระหว่างปี 2029 ถึง 2031 เลย
ที่มา : Techspot
